RHEED and XPS studies of epitaxial Co thin film on GaAs (100), (111)A, (111)B and on Si (100) and (111).

In this study Molecular Beam Epitaxy technique was used for growing epitaxial thin film of Cobalt on GaAs(100), (111)A, (111)B and on Si(100), (111) surfaces. Before the epitaxial growth of the thin film, the substrates were cleaned to remove any surface contamination by using thermal and Atomic Hydrogen Cleaning methods. RHEED and XPS techniques were used to monitor and analyses the surfaces. It is found that the Atomic Hydrogen Cleaning is better than thermal cleaning. This study also shows that it can produced an epitaxial thin film of Cobalt and produced layer by layer growth mode at high substrate temperature on some substrates surfaces such as GaAs(111)A and Si(111), while other substrates produced rough surfaces.

Member of

Theses and Dissertations

Resource URL

https://hdl.handle.net/20.500.12408/3497

Arabic abstract

في هذه الدراسة تم استخدام تقنية Molecular Beam Epitaxy من اجل تكوين طبقة ذرية رقيقة من مادة الكوبالت على سطح مجموعة من أشباه الموصلات مٹل (100) GaAs ( 111 ) A , GaAs ( 111 ) B , GaAs (111)Si و (100)Si. وقد تم تنظيف أسطح هذه العينات للحصول على سطح أملس قبل عملية تكوين طبقة الكوبالت بطريقتين وهما التنظيف الحراري والتنظيف الهيدروجيني وذلك بتعريض سطح شبه الموصل لذرات الهيدروجين لفترة زمنية محددة. في هذه الدراسة تم استخدام تقنية RHEED وتقنية XPS لتحليل النتائج وقد كانت نتيجة الدراسة إن التنظيف الهيدروجيني افضل من التنظيف الحراري. كما قد تم التحكم في تكوين طبقة ذرية رقيقة من الكوبالت وإنتاج طبقة بنمط نمو الطبقة على سطح بعض أشباه الموصلات تحت درجة حرارة عالية وظروف معينة وهذه العينات هي (111)Si و GaAs ( 111 ) A . أما بقية العينات فقد تم الحصول على سطح خشن بعد عملية تكوين طبقة من الكوبالت.